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参数目录39974
> AON5810 MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5
型号:
AON5810
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A DFN2X5
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
AON5810 PDF
标准包装
5,000
系列
-
FET 型
2 N 沟道(双)共漏
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
18 毫欧 @ 7.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
13.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1360pF @ 10V
功率 - 最大
1.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-WFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
6-DFN-EP(2x5)
包装
带卷 (TR)
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